制造商:Central Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-563-6

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:860 mA

Rds On-漏源导通电阻:85 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:450 mV

Vgs - 栅极-源极电压:8 V

Qg-栅极电荷:3.56 nC

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:350 mW

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Bulk

系列:CMLDM8120

商标:Central Semiconductor

产品类型:MOSFET

工厂包装数量:5000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:25 ns

典型接通延迟时间:20 ns